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2020年至今,不少中国半导体领域的企业都试图通过IPO寻求资本的援助。
而在这些企业背后投资人的名单中,几乎都能看到国家大基金忙碌的身影,政策的优惠让国内集成电路产业自主研发的热潮愈演愈烈。
对此,外界不少人担心中国芯片产业发展过快、过热,甚至担心物极必反。不过,中国工程院院士表态:中国半导体制造业发展尚未“过热”,还需要加速。
芯片制造没有过热
3月17日,号称半导体业界盛会的SEMICON China 2021正式开幕。
在大会中,中国工程院院士、浙江大学微纳电子学院院长吴汉明表示:“如果不加速发展,未来中国芯片产能与海外的差距,至少相当于8个中芯国际的产能。”
受历史因素影响,中国集成电路产业起步时间晚;想要加速发展时,又面临着政治、技术等方面的壁垒,整个行业举步维艰。
反观欧洲国家、美国等发达国家,一直垄断着全球市场,又依仗着技术优势对中国半导体产业进行封锁和打压。
长期以来,中国在半导体芯片进口上的成本支出,都是一笔巨款。
据中商产业研究院统计的数据显示,2016年中国芯片进口额超过2000亿美元;2018年这个数值冲破3000亿美元的大关。
在2020年,中国芯片进口额攀升至近3800亿美元,占国内进口总额的比例高达18%。
受全球晶圆短缺、智能电子产品需求激增的影响,如果中国半导体制造业此时缓下脚步,未来在芯片进口上的支出无疑会更多。
那么,我国半导体产业如何有效提升芯片产能、可持续发展呢?
产业链本土化
吴汉明院士指出,首先要重视产业链的本土化。
同时,吴院士还认为:“相比完全进口的7nm,本土可控的55nm意义更大。”对于这一看法,笔者十分认同。
一方面是因为,目前中国在7nm的研发突破上面临难以逾越的鸿沟;另一方面则是因为,在后摩尔时代,芯片制造成本显著上升,对于中国大陆而言投资回报率较低。
近年来,海外单边主义盛行,芯片制造高端设备被禁止向中国出口,例如极为关键且必不可少的EUV光刻机。
没有EUV光刻机,即便是中芯国际也无法在短时间内用常规思路,继续深入高精度工艺的研发。
虽然该公司避开光刻机创造出N+1“类7nm”工艺,但这种工艺制造出来的芯片性能和功耗控制能力,相比采用EUV光刻机制造出的7nm芯片要逊色不少。
此外,随着制程迈过28nm,摩尔定律离物理极限越来越近,单个晶体管的成本明显上升。
在制造工艺涉及到美国技术专利的情况下,相对不成熟的高精度制程存在一定的商业化风险,且处处受制。例如中芯国际的14nm,就需要获得许可证才能为客户供货。
再者,除了手机、PC等电子设备,大多数智能终端对芯片安全性、可靠性的要求,大于对性能的要求。
而28nm及以上的成熟工艺,就能够满足这部分芯片的制造需求。
所以,笔者认为,本土可控的成熟工艺产业链的建设,对于现阶段中国集成电路产业而言要更重要。
集中力量办大事
除了加速产业链本土化之外,吴汉明院士还提到,建设举国体制下的公共技术平台,实现产学研协同创新的重要性。
半导体这类高端制造业的发展,从来不是几家企业,几个资本就能够做到的事。
西方研究极紫外光刻技术尚且倾注了举国之力,欧盟十几个国家联手才有所成绩,更何况是起步晚、空白多的中国。
故而,全国上下一条心,在人才培养、技术研发、材料创新等方面同时下功夫,发挥出“集中力量办大事”的体制优势,才能够将差距逐渐弥补回来。
当然,半导体产业属于国际化产业,中国形成产能内循环很重要,坚持开放、合作与创新同样重要。
写在最后
中国正在成为全球第一大半导体市场,站在竞争更加激烈、挑战更加严峻的未来面前,我们义无反顾。
文/谛林 审核/子扬 校正/知秋 |
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