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如果说2019年公众才认识到我国在芯片领域如何薄弱，2020年便是我国在芯片领域勾勒地基的一年。如今，辛勤的耕耘，终于到了开花结果的时候——中芯国际传来好消息，这一次三星与台积电怕是无法阻拦了。
中芯国际：用落后的设备，研究先进的技术
芯片工艺大致分为芯片设计、芯片制造、封装检测三个过程，芯片设计有华为海思撑场面，封装检测的技术含量也不高，真正困扰了我国芯片制造业发展的，便是倒在了中间环节上。
中芯国际是我国唯一一个掌握了先进芯片代工技艺的企业，14nm的工艺制程是公司最成熟的技术，然而三星和台积电早就接了5nm芯片的订单，目光瞄准了3nm领域。
中芯国际有梁孟松和蒋尚义这样的，世界芯片领域的泰斗人物，缺少的并不是人才和决心，而是用来加速研究进程的先进的光刻机，这直接影响到了芯片工艺制程的推进速度。
中芯国际与ASML关于高级EUV光刻机（能生产5nm芯片）的谈判，持续半年之久，尚未取得明确的结果，因此中芯国际一直都是用落后的设备研究着先进的技术。万幸，这次中芯国际又传来了新的消息。
第二代N+1工艺趋向成熟，7nm芯片开始风险量产
中芯国际表示第二代N+1工艺工艺全面突破，趋向成熟，经过一段时间的测试后，今年4月将用在7nm芯片的风险量产上。这意味着，我国实现芯片自我供应的目标或许快要实现。
N+1工艺是中芯国际的独门绝技，由梁孟松开创出来，这一工艺最厉害的地方在于，可以使落后的设备也能加工出先进的芯片，上一代的时候是作用于14nm，现在就到了7nm。
7nm芯片的先进程度就是2019年发布的华为mate30、iPhone11的程度，这些手机适配的都是7nm芯片，至今功能依旧过剩，何况电脑芯片除了M1以外，几乎普遍的9nm及其以下的级别。
风险量产过后，意味着中芯国际就有了与台积电、三星抢夺7nm芯片市场的资本，在这个时候传出这样的好消息，无疑是极其振奋民心的，人们不知道的是，其实中芯国际还打破了台积电和三星的多项纪录。
中芯国际展示中国力量：3年时间突破两代工艺
中芯国际得不到台积电和三星的技术指导，更没有ASML提供的最新设备进行试验，反观台积电，研究5nm工艺制程的时候用的是最高级的EUV光刻机，三星也是如此。
中芯国际是艰难的，然而他靠着一堆落后设备，硬是只用了3年的时间就将工艺制程从28nm推到7nm。三星和台积电为此花费了十数年，可想而知中芯国际的工程师多么卓越，大国工匠也不过如此。
工艺突破到7nm的时候，5nm已经不是一个遥远的数据。工艺和速率上的双双突破表明，中芯国际历经梁孟松的离职风波后，终于开始逐步展露自己的锋芒，或许是这个时代不需要他再低调下去吧。
我们设想华为海思设计芯片、中芯国际制造芯片，这一切至少说明了一个问题，那就是我国已经初步拥有了芯片自我供应的技术基础，而距离国家提出这一目标的时间还不到半年。
2020年我国在芯片材料、芯片设备、芯片工艺上都是痛定思痛的一年，但是民族依旧是保持乐观，卯足干劲，中芯国际能用3年的时间追赶上别人十数年的研发成果，照此以往，我们又有什么理由不相信中芯国际能追赶上台积电和三星呢？
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发表于 2021-3-25 19:03:14
