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烧了1550亿，终于收获成果！日媒：中国芯片巨头取得技术突破
在中国正积极推动半导体自给自足之际，中国最大快闪存储器制造商长江存储终于传出一个振奋人心的好消息。
据《日经亚洲评论》1月12日报道，长江存储最快今年中就有机会试产第一批192层3D NAND闪存芯片，但为了确保品质，这项试产计划也可能会推迟到今年下半才实行。
你可能还不了解长江存储192层3D NAND技术有多震撼业界？笔者这么说吧，现在包括韩国三星、美国美光这两大NAND型快闪存储器巨头、长江存储在内，所能量产的最先进的版本都是128层3D NAND而已。
目前，三星下一代技术研发的目标是172层3D NAND，美光则开发176层。
这就意味着长江存储接近量产的192层3D NAND，在技术定义上确实比三星、美光更先进。
笔者依稀记得，韩媒《Business Korea》在今年初还抱怨说，长江存储在完成128层3D NAND闪存芯片量产后，韩国芯片厂能领先中国技术差距，只有不到两年了。
但如今看来，韩媒还是太小瞧中国了，长江存储与韩国三星的差距还要更小，这也代表着中国半导体技术进步的速度恐怕要大大超过外界预期。
不过，虽然192层3D NAND的技术水平肯定比三星的172层和美光的176层更先进，但能否实现真正的超越还要考虑多方面的因素。比如良品率和产能就是重要的技术指标。
根据日经的报道，长江存储的良品率，目前大约在70%左右，这一数据相比于三星、美光还有较大的提升的空间。
至于产能方面，长江存储耗资240亿美元（约1550亿人民币）的武汉工厂已经投产，一期每月可以量产10万片晶圆，大约在全球闪存芯片总产量7%的水平。而三星月产能为48万片晶圆，美光为月产能18万片晶圆。因此，总体上长江存储还需要努力追赶。
但长江存储这次突破192层 3D NAND技术，对中国的半导体自主化有非常重要的意义。
首先，需要了解什么是3D NAND。通俗地说，3D NAND是相对“平面化”而言的。在平面化的要求下，想要实现性能提升，意思就是要在硅片平面上刻出更细微的电路，但细微化是有技术门槛，也有技术天花板的，因此便催生了3D NAND芯片技术的应用，芯片的制程要求可以缩小一倍以上，比如10纳米才可以达到的性能，运用3D NAND后，20纳米甚至30纳米就可以做到。
如果这项技术用得好的话，或许就能摆脱美国对中国半导体的技术钳制，比如3D NAND使用国产的深紫外光刻机就能做到，因此不用再求着荷兰ASML公司卖给中国极紫外线光刻机了，虽然3D NAND技术现在通常只用在存储芯片领域，但电脑和智能手机的核心芯片在理论上也是可以使用的。
笔者认为，长江存储的技术突破是打破外国技术垄断的一场胜利，对于中国半导体自主化进程而言更是一个莫大的鼓舞。 |
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发表于 2021-1-14 05:27:42
